等方性黒鉛は、冷間等方圧加圧（CIP）によって成形される高純度黒鉛で、高い等方性と均一な構造を特長とします。Huahao Sealingは、純度99.99%超、密度1.75-1.85 g/cm³、異方性5%未満の等方性黒鉛ブランクおよび精密加工部品を、半導体、太陽光発電、原子力、高精度シール用途向けに供給しています。
| Density | 1.75 – 1.85 g/cm³ |
| Purity | > 99.99% carbon |
| Isotropy | < 5% (CTE variation) |
| Temperature | -200°C ~ 500°C (inert atmosphere 2800°C) |
| Compressive Strength | 120 – 200 MPa |
| Shore Hardness | 55 – 75 HS |
| Grain Size | 10 – 20 μm (fine-grain) |
| Ash Content | < 100 ppm |
高純度 — 炭素含有量99.99%超、灰分100 ppm未満で、半導体および太陽光発電分野の純度要件に対応
等方性 — 等方圧成形により全方向で均一な特性を実現。異方性5%未満で、精密加工時の変形を抑制
均一な構造 — 微細粒構造（10-20 μm）により、高精度シールに求められる断面特性の均一性を実現
優れた加工性 — 適度な硬度（55-75 HS）により、複雑形状やミクロンレベルの公差に対応
超高温対応 — 不活性雰囲気で最大2800°C、真空中で2000°C
半導体製造 — 結晶成長炉用ヒーター、るつぼ、熱シールド
太陽光発電産業 — 単結晶シリコン引き上げ炉用黒鉛部品
高温真空炉 — 発熱体、放射シールド、炉床
原子力産業 — 原子炉用黒鉛反射体および減速材
高精度シール — 放電加工シール、精密金型
| Grade Code | Temperature | Notes |
|---|---|---|
| IG-11 | 2800°C | 一般等方性黒鉛、半導体グレード |
| IG-430 | 2800°C | 高密度等方性黒鉛、耐摩耗性 |
Isostatic graphite is formed by CIP (cold isostatic pressing) with uniform pressure from all directions, achieving isotropy below 5% with uniform structure and high purity. Standard molded graphite is unidirectionally pressed, with high anisotropy and significant directional property variation, unsuitable for high-precision and high-purity applications.
Yes. Isostatic graphite has purity above 99.99% and ash below 100 ppm, meeting the semiconductor industry's strict material purity requirements. It is widely used for crystal growth furnace heaters, crucibles and heat shields.
